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SiGe, High-Linearity, 2300MHz to 4000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit with tuning elements outlined in Table 1, V CC = 5.0V, f RF = 3100MHz to 3900MHz, LO is high-side injected
for a 300MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25 N C, unless otherwise noted.)
3LO - 3RF RESPONSE
vs. RF FREQUENCY
3LO - 3RF RESPONSE
vs. RF FREQUENCY
3LO - 3RF RESPONSE
vs. RF FREQUENCY
95
85
T C = +85°C
P RF = -5dBm
95
85
P RF = -5dBm
95
85
P RF = -5dBm
75
T C = -40°C
T C = +25°C
75
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
75
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
65
55
65
55
65
55
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
12
11
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
12
11
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
12
11
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE vs. RF FREQUENCY
10
9
8
T C = +85°C
T C = +25°C
10
9
8
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
10
9
8
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
T C = -40°C
7
7
7
3000
3175
3350
3525
3700
3000
3175
3350
3525
3700
3000
3175
3350
3525
3700
13
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
13
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
13
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
12
T C = +85°C
12
12
V CC = 5.0V
V CC = 5.25V
11
T C = +25°C
11
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
11
V CC = 4.75V
10
9
T C = -40°C
10
9
10
9
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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